SJ 50033.88-1995 半导体分立器件.CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.55 |
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15 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/88-1995,半导体分立器件,CS6760 和 CS6762 型,硅N沟道增强型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS6760 and CS6762,silicon N-channel enhacement mode field-effect transistor,19954J525 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS6760 和 CS6762 型,硅N沟道增强型场效应晶体管,详细规范,SJ 50033/88-1995,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS6760 and CS6762,silicon N-channe! enhacement mode field-effect transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 CS6760和CS6762型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管（以下简称,器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84 场效应晶体管测试方法,GB 6571-86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布 !995-12-0I实施,__ [,SJ 50033/88-1995,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2 .］引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或铜。引出端表窗涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂,层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅N沟道MOS增强型外延平面。不允许多个芯片结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 758t的B2 - 01C型及如下规定,见图1,栅极,2.源极,2,ww. bzfxw. com下载,SJ 50033/83-1995,尺、ぐ号B2-01C,最 小标 称最 大,A,— 一8.63,12.19,亂*** 1.52,0 . 966 — 1,092,/D — —— 22.86,d 一5.46 —,F — —— 3.50,L 8.。— 13.9,レ— 一1,52,ftp 3.84 — 4.21,q 29.90 —— 30.40,Rt 一— 13.58,号—— — 4.82,s 16.89,5 — 一40.13,5 r 一27.17,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,型号,p「,Tc = 25V,P期,Tc 二 25c,0S Vdq 3 ”,Tc = 2510,［屏,tc = wor,ぺ1DM Tcp和,T,Vds、ドdg,（低气压）,(W) (W) (V) (V) (V) (A) (A) (A) (A) (V) (V),CS6760,75 4,400 400,±20,5.5 3.5 5.5 22 -55.400,CS6762 500 500 4.5 3 4.5 18 + 150 500,注」）Tc > 25e时,按0.6W/X:的速率线性降额,2）超过Tc = 25。时的降额按公式:,T _ /P（凝定值）,式中ず（额定值）=[75-（Tl25）（0,6））W；,K =「网5）的最大值（在Tj = 150セ下）,3,SJ 50033/88-1995,3.3.2 主要电特性（Ta " 25七）,理 号,匕BR1DSS,vGS = OV,/〇 = 1mA,^G8(th)l,^□6ユド比,1ロ H 0 25mA,Fdssi,Vgs = OV,炉お=80%的,V.班宗信,1),rDS(.),Vs 二 !0V,⑼,(V),丁J 二 25t,在Jpi下,T” 150V,在下（r/w）,し晨400,2-4 <25,<1 0 <2.5,<1 67,S6762 当可0 <1 5 <3 75,],（しn以冲法（见4 § 1八,3 4电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,3.6 静电放电保护,本规范规定的各种器件要求静电保护（见6.4）,4质量保证规定,4 .!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,4 11,筛 选,(GJB 33 表 2),测 试 或 试 验,3 试验条件F,但低温为ー55C和2Q个循环除外,1) 2) 见4 5 4,1) 见4 5 3,D 见4 5 5,6 1042方法的试验条件B,7 『なSSIス『351 % rDE(oiHヽYgS……
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